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MJD127T4G(MS) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD127T4G(MS) product

MJD127T4G(MS)

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPDarlingtonTO-252

Der MJD127T4G(MS) ist ein PNP-Darlington-Transistor mit integrierter Freilaufdiode, der für Schaltanwendungen mit hoher Verstärkung ausgelegt ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Sättigungsspannung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
-100 V
IC
-8 A
hFE
1000 - 12000

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

8f35117c1f7dae5b30ebfca28dd53244_2404151058_MSKSEMI-MJD127T4G-MS_C22365382.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD127T4G(MS) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Darlington-Transistor mit hoher DC-Stromverstärkung und einer eingebauten Freilaufdiode zwischen Emitter und Kollektor.