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MJD200T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD200T4G product

MJD200T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNLeistungstransistorDPAK

Der MJD200T4G ist ein 25V, 5A NPN-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, der für Audioverstärkeranwendungen mit hoher Verstärkung optimiert ist.

Ideal für

  • Audioverstärkung
  • Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 25V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
5 A
hFE
45 @ 2A
Gehäuse
DPAK

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Audioverstärker

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD200T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Leistungstransistor für Niederspannungs-Audioanwendungen mit hoher Verstärkung, der in einem oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäuse untergebracht ist.