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MJD31C KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD31C product

MJD31C

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorDPAK100V

Der MJD31C ist ein NPN-Bipolartransistor für allgemeine Anwendungen im TO-252-2L (DPAK) Gehäuse mit 100V und 3A.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkung
  • Langsame Schaltvorgänge

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Ströme über 3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Footprint-Design

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
3 A
hFE
25-75

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenLeistungsschaltung

Datenblatt

f1424cd960de0ffec9db1d50c6eb867e_2401261529_HXY-MOSFET-MJD31C_C20616322.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD31C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen.