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MJD31T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD31T4G product

MJD31T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNLeistungstransistorDPAKonsemi

Der MJD31T4G ist ein 40V, 3A NPN-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, der für allgemeine Verstärkeranwendungen und langsames Schalten ausgelegt ist.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkeranwendungen
  • Langsames Schalten

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen
  • Anwendungen mit mehr als 40V VCEO

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement-Anforderungen
  • Spitzenstrombelastbarkeit

Wichtige Specs

Polarität
NPN
VCEO
40 V
IC
3 A
PD
15 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Allgemeine AnwendungenLeistungsschaltung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD31T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD31T4G ist ein NPN-Silizium-Leistungstransistor von onsemi, der für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen entwickelt wurde.