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MJD32C-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD32C-13 product

MJD32C-13

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJT100V3ATO-252

Der MJD32C-13 ist ein 100V, 3A PNP-Leistungstransistor im TO-252-Gehäuse, der für zuverlässige Schalt- und Verstärkeranwendungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die NPN-Polarität erfordern
  • Sehr platzkritische Designs ohne Wärmeabfuhr

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kriech- und Luftstrecken

Wichtige Specs

VCEO
-100 V
IC
-3 A
Gehäuse
TO-252 (DPAK)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

LeistungsschaltungVerstärkung

Datenblatt

DSA1008000-17.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD32C-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor (BJT) für Hochspannungsanwendungen in der Leistungselektronik und Verstärkertechnik.