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MJD41C(MS) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD41C(MS) product

MJD41C(MS)

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorTO-252Leistung

Der MJD41C(MS) ist ein NPN-Leistungstransistor (100V, 6A) im TO-252-Gehäuse, der für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkerschaltungen
  • Langsame Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Anwendungen, die 1,25W Verlustleistung ohne externe Kühlung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Pin-Kompatibilität

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC (kontinuierlich)
6 A
PC
1,25 W
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine VerstärkerLangsame Schaltanwendungen

Datenblatt

2723c92f92340db9265d58238557ee3b_2404151058_MSKSEMI-MJD41C-MS_C22365377.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD41C(MS) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen, der über eine monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Widerständen verfügt.