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MJD44H11T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD44H11T4G product

MJD44H11T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNLeistungstransistorDPAKSchaltanwendung

Der MJD44H11T4G ist ein leistungsstarker 80V, 8A NPN-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, ideal für schnelles Schalten und Leistungsverstärkung.

Ideal für

  • Schaltregler
  • Leistungsverstärker
  • Automotive-Treiberstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 8A Dauerstrom
  • Designs, die extrem flache Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • PCB-Pad-Größe für Kühlung

Wichtige Specs

VCEO
80 V
IC (Dauer)
8 A
Verlustleistung
20 W
Bandbreite
85 MHz

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobilIndustrie

Datenblatt

MJD44H11-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD44H11T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären NPN-Leistungstransistor für allgemeine Leistungs- und Schaltanwendungen.