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MJD45H11T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD45H11T4G product

MJD45H11T4G

Component

PNPLeistungstransistorTO-252-80 V-8 ALeistungsschalter

Der MJD45H11T4G ist ein PNP-Leistungstransistor von JSMSEMI im TO-252-Gehäuse für Schalt- und Verstärkerstufen. Angegeben sind -80 V VCEO und -8 A Dauer-Kollektorstrom.

Ideal für

  • Allgemeine Leistungsschalter
  • Ausgangsstufen von Schaltreglern
  • Treiber- und Verstärkerstufen

Vermeiden, wenn

  • Eine bestätigte RoHS-, REACH-, Automotive- oder MSL-Einstufung ohne zusätzliche Prüfung erforderlich ist
  • Eine NPN-Transistorpolarität benötigt wird

Vor der Verwendung prüfen

  • PNP-Polung und Basisstrom prüfen
  • Leit- und Schaltverluste berechnen
  • Thermisches Verhalten mit dem vorgesehenen Kühlkonzept validieren

Wichtige Specs

Polarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung
-80 V
Dauer-Kollektorstrom
-8 A
Verlustleistung
50 W bei TC = 25 °C
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltenSchaltregler und WandlerLeistungsverstärkerstufen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD45H11T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD45H11T4G ist ein Silizium-PNP-Leistungstransistor von JSMSEMI im TO-252-Gehäuse. Das Datenblatt nennt -80 V Kollektor-Emitter-Spannung und -8 A Dauer-Kollektorstrom.