Der MJD45H11T4G ist ein Silizium-PNP-Leistungstransistor von JSMSEMI im TO-252-Gehäuse. Das Datenblatt nennt -80 V Kollektor-Emitter-Spannung und -8 A Dauer-Kollektorstrom.
MJD45H11T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Polarität
- PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung
- -80 V
- Dauer-Kollektorstrom
- -8 A
- Verlustleistung
- 50 W bei TC = 25 °C
- Gehäuse
- TO-252
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
LeistungsschaltenSchaltregler und WandlerLeistungsverstärkerstufen
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für MJD45H11T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
