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MJE350G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJE350G product

MJE350G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPHochspannungTO-126

Der MJE350G ist ein PNP-Hochspannungstransistor im TO-126-Gehäuse, der für allgemeine Anwendungen und Transformatorschaltungen geeignet ist.

Ideal für

  • Hochspannungsanwendungen
  • Transformatorschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über -500mA
  • Platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Verfügbarkeit des komplementären NPN-Typs MJE340

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-300 V
IC
-500 mA
Verlustleistung
20 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

LeistungselektronikAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

MJE350-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJE350G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJE350G ist ein PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor für Hochspannungsanwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -300V.