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MJE5731G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJE5731G product

MJE5731G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPLeistungstransistorHochspannung

Der MJE5731G ist ein 350V, 1A PNP-Leistungstransistor im TO-220-Gehäuse, der für Hochspannungsschaltanwendungen und Audioverstärker geeignet ist.

Ideal für

  • Audio-Ausgangsverstärker
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein Transistor mit niedrigerer VCEO effizienter wäre

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Grenzen des sicheren Arbeitsbereichs (SOA)

Wichtige Specs

VCEO
350 V
IC
1 A
PD
40 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

MJE5730-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJE5731G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJE5731G ist ein PNP-Silizium-Leistungstransistor für hohe Spannungen, der für netzbetriebene Audio-Ausgangsverstärker und Schaltnetzteil-Treiber entwickelt wurde.