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MJF122G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJF122G product

MJF122G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistorIsoliert

Der MJF122G ist ein 100V, 5A NPN-Darlington-Transistor im isolierten TO-220FP-Gehäuse, ideal für Anwendungen, die eine elektrische Isolierung vom Kühlkörper erfordern.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärker
  • Schaltanwendungen
  • Designs mit elektrischer Isolierung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen außerhalb der Darlington-Fähigkeiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Montagedrehmoment
  • Thermische Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
5 A
hFE
2000 min

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

RSELS25638-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJF122G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJF122G ist ein komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-Transistor von onsemi, der für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.