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MMBD352WT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBD352WT1G product

MMBD352WT1G

Diodes - RF

Schottky-DiodeUHFDual-Diode

Die MMBD352WT1G ist eine Dual-Schottky-Barriere-Diode im SOT-323-Gehäuse, die für UHF-Mischer und Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • UHF-Mischerschaltungen
  • Hochgeschwindigkeits-Signaldetektion
  • Ultraschnelles Schalten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Sperrspannung (>7 V)

Vor der Verwendung prüfen

  • Sperrspannungsgrenzen
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Sperrspannung
7 V
Kapazität
< 1,0 pF
Durchlassspannung
0,5 V (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

UHF-MischerDetektorUltraschnelles Schalten

Datenblatt

MMBD352WT1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBD352WT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Dual-Schottky-Barriere-Diode, die primär für UHF-Mischer, Detektoren und ultraschnelle Schaltkreise entwickelt wurde.