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MMBF170-F-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBF170-F-HXY product

MMBF170-F-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der MMBF170-F ist ein 60V, 0,3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungswandlung
  • Anwendungen, die einen RDS(on) unter 1Ω erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hochdichten Designs

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
0,3 A
RDS(on)
< 2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

1d2b2cc29cef842e3303536e00a45ad7_2403261741_HXY-MOSFET-MMBF170-F-HXY_C22367167.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBF170-F-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für effizientes Schalten in Kleinsignalanwendungen konzipiert ist.