MMBT1015G-GR-AE3-R Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | UTC(Unisonic Tech) | PartGenie

KI-Zusammenfassung

MMBT1015G-GR-AE3-R product

Der MMBT1015G-GR-AE3-R ist ein PNP-Siliziumtransistor für Niederfrequenz-Verstärkeranwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von -50V und einem Kollektorstrom von 150mA im SOT-23-Gehäuse.

Ideal für

Niederfrequenz-Signalverstärkung
Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Hochfrequenz-Anwendungen
Schaltströme über 150mA

Vor der Verwendung prüfen

Pin-Konfiguration
Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

Transistortyp: PNP
VCEO: -50V
IC: -150mA
hFE-Klasse: GR (200-400)

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Allgemeine AnwendungenUnterhaltungselektronik

Datenblatt

4750fa47ca2c325ef84111f472d4b424_1808280054_UTC-Unisonic-Tech-MMBT1015G-GR-AE3-R_C171478.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT1015G-GR-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor von UTC, der speziell für Niederfrequenz-Verstärkeranwendungen entwickelt wurde.