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MMBT5089LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5089LT1G product

MMBT5089LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNRauscharmSOT-23

Der MMBT5089LT1G ist ein rauscharmer NPN-Transistor mit hoher Verstärkung, ideal für empfindliche Signalverstärkungen in kompakten SMD-Designs.

Ideal für

  • Rauscharme Signalverstärkung
  • Kleinsignalstufen mit hoher Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 25V
  • Hochleistungsschaltkreise

Vor der Verwendung prüfen

  • Betriebstemperaturbereich
  • Verstärkungsstabilität bei spezifischem IC

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
50 mA
hFE
400 - 1200

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeine Signalverstärkung

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5089LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen rauscharmen NPN-Siliziumtransistor von onsemi, der für Anwendungen mit hohem Verstärkungsbedarf optimiert ist.