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MMBT5401-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5401-7-F product

MMBT5401-7-F

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTHochspannungSOT23

Der MMBT5401-7-F ist ein PNP-Hochspannungstransistor im SOT23-Gehäuse, der für Anwendungen mit geringer Leistung beim Schalten und Verstärken optimiert ist.

Ideal für

  • Signalverstärkung
  • Hochspannungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 600mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • PCB-Layout

Wichtige Specs

VCEO
-150 V
IC
-600 mA
hFE
50 - 240

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

Diodes-Inc.-MMBT5401-7-F.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5401-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 150V PNP-Bipolartransistor (BJT), der für Hochspannungsanwendungen in der Signalverstärkung und Schaltungstechnik konzipiert ist.