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MMBT5401DW KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5401DW product

MMBT5401DW

Bipolar (BJT)

PNPTransistorSOT-363Verstärker

Der MMBT5401DW ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor im ultrakleinen SOT-363-Gehäuse, der für Anwendungen in der mittleren Leistungsverstärkung und beim Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 300 mW
  • Anwendungen, die Hochgeschwindigkeitsschalten über 100 MHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität des Gehäuse-Footprints

Wichtige Specs

VCEO
-160 V
IC
-600 mA
Verlustleistung
300 mW

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

VerstärkungSchalten

Datenblatt

10b8bed0950fa5effedfa6b420df7531_2302091130_Shikues-MMBT5401DW_C5344623.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5401DW laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor für Anwendungen in der mittleren Leistungsverstärkung und beim Schalten, der in einem kompakten SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.