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MMBT5401DW KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

MMBT5401DW product

MMBT5401DW

Bipolar (BJT)

PNPTransistorSOT-363Verstärker

Der MMBT5401DW ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor im ultrakleinen SOT-363-Gehäuse, der für Anwendungen in der mittleren Leistungsverstärkung und beim Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 300 mW
  • Anwendungen, die Hochgeschwindigkeitsschalten über 100 MHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität des Gehäuse-Footprints

Wichtige Specs

VCEO
-160 V
IC
-600 mA
Verlustleistung
300 mW

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

VerstärkungSchalten

Datenblatt

10b8bed0950fa5effedfa6b420df7531_2302091130_Shikues-MMBT5401DW_C5344623.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor für Anwendungen in der mittleren Leistungsverstärkung und beim Schalten, der in einem kompakten SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.