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MMBT5401LT3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5401LT3G product

MMBT5401LT3G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPHochspannungAEC-Q101SOT-23

Der MMBT5401LT3G ist ein PNP-Hochspannungstransistor von onsemi mit einer VCEO von -150V und einem Kollektorstrom von -500mA, ideal für Automotive- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Elektronik
  • Hochspannungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Kollektorströmen über 500mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
-150 V
IC
-500 mA
hFE
50 - 240
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

AutomotiveLeistungsschaltung

Datenblatt

MMBT5401LT1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5401LT3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Hochspannungstransistor für die Oberflächenmontage mit einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -150V.