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MMBT5550 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5550 product

MMBT5550

Discrete Semiconductor Products

NPNHochspannungSOT-23BJT

Der MMBT5550 ist ein NPN-Hochspannungstransistor, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen in kompakten SMD-Designs optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltungen
  • Allgemeine Verstärkung
  • Kompakte SMD-Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Verlustleistung deutlich über 225 mW
  • Hochfrequenz-HF-Schaltungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an das thermische Derating
  • Sättigungsspannung bei Ziel-Laststrom

Wichtige Specs

VCEO
140 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Allgemeines SchaltenSignalverstärkung

Datenblatt

SAMSS12358-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5550 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5550 ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) im SOT-23-Gehäuse, der speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.