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MMBT5550LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5550LT1G product

MMBT5550LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23

Der MMBT5550LT1G ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT-23-Gehäuse, der sich für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen in Hochspannungsschaltungen eignet.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 600mA Strom erfordern
  • Schaltungen mit hoher Verlustleistung über 225mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Spannungstransienten

Wichtige Specs

VCEO
140 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

MMBT5550LT1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5550LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Hochspannungstransistor von onsemi, der für oberflächenmontierte Anwendungen im SOT-23-Gehäuse konzipiert ist.