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MMBT5551-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551-7-F product

MMBT5551-7-F

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT23

Der MMBT5551-7-F ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT23-Gehäuse, ideal für Schalt- und Verstärkeranwendungen bis 160V.

Ideal für

  • Schaltanwendungen
  • Verstärkerschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Ströme über 600mA
  • Verlustleistung über 300mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Spannungsspitzen

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210075.0

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

Diodes-Inc.-MMBT5551-7-F.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor von Diodes Incorporated, der für Anwendungen mit niedriger Leistung und hohen Spannungen optimiert ist.