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MMBT5551-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551-B product

MMBT5551-B

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23

Der MMBT5551-B ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Hochspannungsverstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Niederspannungsbetrieb oder Hochstrom-Leistungsschaltung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen im SOT-23-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
100-300

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Hochspannungsverstärker

Datenblatt

854a0154a1f8b8183bf1512a5b5faf57_1810181650_Foshan-Blue-Rocket-Elec-MMBT5551-B_C305444.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse mit einer hFE-Klassifizierung von 100-300.