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MMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551 product

MMBT5551

Discrete Semiconductor Products

NPNTransistorSOT-23Hochspannung

Der MMBT5551-L ist ein NPN-Transistor für hohe Spannungen, der für mittlere Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Hochspannungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 600mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
100-300

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

Allgemeine AnwendungLeistung

Datenblatt

1809251417_-DIOTEC-MMBT5551_C212797.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor (BJT) im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage.