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MMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551 product

MMBT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPN-TransistorSOT-23160 V600 mASchaltenVerstärkung

Der MMBT5551 G1 ist ein NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse für Schaltaufgaben und Verstärkeranwendungen mittlerer Leistung. Angegeben sind 160 V VCEO und 600 mA Kollektorstrom.

Ideal für

  • Kleinsignal-Schaltungen mit hoher Sperrspannung
  • NPN-Verstärker mittlerer Leistung
  • Kompakte SOT-23-Leiterplattenlayouts

Vermeiden, wenn

  • Kollektorströme über 600 mA
  • Projekte mit zwingend nachgewiesenem Compliance- oder Lifecycle-Status
  • Thermisch kritische Layouts ohne Verlustleistungsnachweis

Vor der Verwendung prüfen

  • Pad-Zuordnung für Basis, Emitter und Kollektor kontrollieren
  • Stromverstärkung am tatsächlichen Kollektorstrom bewerten
  • Verlustleistung und Sperrschichttemperatur berechnen

Wichtige Specs

Transistortyp
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung
160 V
Kollektorstrom
600 mA
Gehäuse
SOT-23, 3 Anschlüsse
Gleichstromverstärkung
100 bis 300 bei VCE = 5 V, IC = 10 mA
Verlustleistung
300 mW bei TA = 25 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

SchaltstufenVerstärker mittlerer Leistung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551 G1 ist ein dreipoliger NPN-Bipolartransistor im Kunststoffgehäuse SOT-23. Laut Datenblatt beträgt die Kollektor-Basis-Spannung 180 V, die Kollektor-Emitter-Spannung 160 V und der maximale Kollektorstrom 600 mA.