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MMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551 product

MMBT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23

Der MMBT5551 ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Hochspannungsverstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von mehr als 300 mW erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie den hFE-Bereich (50-150, 100-300 oder 200-400) anhand des Kennzeichnungscodes

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
50 - 400

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungHochspannungsverstärker

Datenblatt

5f9417ba9c36d065b94fa87893218d5f_2203092030_Shenzhen-Jinkaisheng-Elec-MMBT5551_C2972766.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551 ist ein Silizium-NPN-Bipolartransistor (BJT) für Hochspannungsanwendungen, der in einem oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse geliefert wird.