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MMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551 product

MMBT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23BJT

Der MMBT5551 ist ein NPN-Transistor für hohe Spannungen im SOT-23-Gehäuse, der häufig für Schalt- und Verstärkeranwendungen mittlerer Leistung eingesetzt wird.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Verstärkung mittlerer Leistung
  • Allgemeine NPN-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einem Strombedarf von >600mA
  • Schaltungen mit einer Verlustleistung von über 300mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Auswahl der hFE-Klasse
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
80 - 300
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeine AnwendungLeistungsschaltung

Datenblatt

5f9417ba9c36d065b94fa87893218d5f_2203092030_Shenzhen-Jinkaisheng-Elec-MMBT5551_C2972766.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551 ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) zur Oberflächenmontage, der für Hochspannungs- und Mittelleistungsanwendungen entwickelt wurde.