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MMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551 product

MMBT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorHochspannungSOT-23

Der MMBT5551 ist ein NPN-Transistor für hohe Spannungen im SOT-23-Gehäuse, der sich hervorragend für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen eignet.

Ideal für

  • Hochspannungs-Signalverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >600mA Kollektorstrom
  • Umgebungen mit hoher Verlustleistung über 300mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating bei hohen Umgebungstemperaturen
  • hFE-Verstärkungskonstanz bei spezifischen Arbeitspunkten

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
PD
300 mW
hFE
80-300

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
nan

Anwendung

Allgemeine AnwendungenIndustrie

Datenblatt

1086976.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551 ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) für allgemeine Verstärker- und Schaltaufgaben mit hoher Spannungsfestigkeit.