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MMBT5551DW KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551DW product

MMBT5551DW

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTSOT-363Hochspannung

Der MMBT5551DW ist ein Hochspannungs-NPN-Transistor im kompakten SOT-363-Gehäuse, der sich für Schalt- und Verstärkeranwendungen mittlerer Leistung eignet.

Ideal für

  • Verstärkeranwendungen
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 500mW
  • Spannungen über 160V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im SOT-363-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenLeistungsschaltung

Datenblatt

84c00a95efb2e441a7848e70bea58e49_2302091130_Shikues-MMBT5551DW_C5344622.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551DW laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551DW ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor für Verstärker- und Schaltanwendungen, der in einem ultrakleinen SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.