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MMBT5551G-B-AE3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551G-B-AE3-R product

MMBT5551G-B-AE3-R

Discrete Semiconductor Products

NPNHochspannungSOT-23

Der MMBT5551G-B-AE3-R ist ein NPN-Hochspannungstransistor für schnelle Schaltanwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 160V und einem Strom von 600mA im SOT-23-Gehäuse.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltungen
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Ströme über 600mA
  • Hohe thermische Belastung

Vor der Verwendung prüfen

  • Verstärkungsrang (Rang B)

Wichtige Specs

VCEO
160V
IC
600mA
hFE
150-240

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungAllgemeine Anwendung

Datenblatt

af702610434a209d3940f68f76e1228d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551G-B-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Bipolartransistor von UTC für Hochspannungs-Schaltanwendungen.