Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Transistor für hohe Spannungen, der für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 160V aufweist.
MMBT5551LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
MMBT5551LT1G
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Wichtige Specs
- VCEO
- 160 V
- IC (kontinuierlich)
- 600 mA
- hFE
- 80 - 250
- Gehäuse
- SOT-23
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
Anwendung
AutomobilIndustrieAllgemeine Anwendungen
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für MMBT5551LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.