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MMBT5551S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551S product

MMBT5551S

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23

Der MMBT5551S ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 160V
  • Schaltungen mit hoher Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Spannungsspitzen

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
100-300

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Verwendung

Datenblatt

c7102e9a2a6502c9240aefe647b67f78_2405231505_FOSAN-MMBT5551S_C22395786.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Hochspannungstransistor von FOSAN, der für Anwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 160V ausgelegt ist.