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MMBT5551W KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT5551W product

MMBT5551W

Transistors

NPNBJTSOT-323Transistor

Der MMBT5551W ist ein NPN-Transistor in einem SOT-323-Gehäuse für die Oberflächenmontage, der für Anwendungen in der mittleren Leistungsverstärkung und zum Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Verlustleistung (>200 mW)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im SOT-323-Footprint

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
80-300
Gehäuse
SOT-323

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

VerstärkungSchalten

Datenblatt

b77fa131ce3274f81be22d40aea001ad_CBI(创基)&MMBT5551W.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT5551W laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMBT5551W ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor, der in einem kompakten SOT-323-Gehäuse untergebracht ist.