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MMBT6429LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT6429LT1G product

MMBT6429LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNVerstärkerSOT-23

Der MMBT6429LT1G ist ein NPN-Verstärkertransistor mit hoher Verstärkung im SOT-23-Gehäuse, ideal für rauscharme Signalverstärkung.

Ideal für

  • Rauscharme Signalverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 225mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Anforderungen

Wichtige Specs

VCEO
45 V
IC
200 mA
hFE
500 - 1250

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT6429LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Silizium-Verstärkertransistor für Anwendungen mit hoher Verstärkung und geringem Rauschen, untergebracht in einem SOT-23-Gehäuse.