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MMBT8050D(1.5A) -Y1-HAF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT8050D(1.5A) -Y1-HAF product

MMBT8050D(1.5A) -Y1-HAF

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorSOT-23

Der MMBT8050D ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor im TO-236 (SOT-23) Gehäuse, optimiert für Schalt- und Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Schaltkreise
  • NF-Treiberstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 350mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
1.5 A
hFE
160-400

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AllgemeinAudio

Datenblatt

df7e3b20b93a4f3024910079274bd729_ST(先科)&MMBT8050D(1.5A) -Y1-HAF.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT8050D(1.5A) -Y1-HAF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor für bis zu 1,5A Kollektorstrom, häufig eingesetzt in NF-Treiberstufen.