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MMBT8050D(1.5A)-Y1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT8050D(1.5A)-Y1 product

MMBT8050D(1.5A)-Y1

Integrated Circuits (ICs)

NPNTransistorSOT-23Schalten

Der MMBT8050D ist ein NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse, der für Schalt- und AF-Treiberanwendungen mit einem Spitzenstrom von 1,5 A optimiert ist.

Ideal für

  • AF-Treiberstufen
  • Ausgangsstufen mit geringer Leistung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 200 mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

VCEO
25 V
ICM
1,5 A
hFE
160-400

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

Allgemeines SchaltenAF-Treiber

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT8050D(1.5A)-Y1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen, insbesondere für AF-Treiberstufen.