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MMBT8050D(J3Y) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT8050D(J3Y) product

MMBT8050D(J3Y)

Integrated Circuits (ICs)

NPNBJTSOT-23Transistor

Der MMBT8050D ist ein NPN-Bipolartransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 25V
  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 350mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
600 mA
hFE
160 - 400

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

1809060909_ST-Semtech-MMBT8050D-J3Y_C17300.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT8050D(J3Y) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Epitaxial-Planartransistor für allgemeine Schalt- und Verstärkeraufgaben.