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MMBT9012H-H35 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBT9012H-H35 product

MMBT9012H-H35

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-23

Der MMBT9012H-H35 ist ein PNP-BJT-Transistor im SOT-23-Gehäuse für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltaufgaben
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 200mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei kompakten SOT-23-Layouts

Wichtige Specs

VCEO
30 V
IC
500 mA
hFE
230 - 350

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

731efc134558460437c1b333e6785614_2108201630_ST-Semtech-MMBT9012H-H35_C2859168.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBT9012H-H35 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.