ProjektePreiseInsights

MMBTA13LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBTA13LT1G product

MMBTA13LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonSOT-23

Der MMBTA13LT1G ist ein NPN-Darlington-Transistor mit hoher Verstärkung im SOT-23-Gehäuse, ideal für Signalverstärkungsanwendungen.

Ideal für

  • Signalverstärkung
  • Darlington-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Frequenzen über 125MHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCES
30 V
IC
300 mA
hFE
5000 min

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

Allgemeine Verstärkung

Datenblatt

MOTOC001-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBTA13LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Darlington-Verstärkertransistor für Anwendungen mit hoher Verstärkung.