MMBTA14G-AE3-R Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | UTC(Unisonic Tech) | PartGenie

KI-Zusammenfassung

MMBTA14G-AE3-R product

Der MMBTA14G-AE3-R ist ein NPN-Darlington-Transistor von UTC, der für Anwendungen mit hoher Verstärkung im kompakten SOT-23-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

Hochverstärkungsanwendungen
Schaltanwendungen mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit hoher Leistung über 350mW
Hochfrequenzschaltungen

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Pin-Belegung

Wichtige Specs

Typ: NPN Darlington
VCES: 30 V
hFE: 20000
Gehäuse: SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Allgemeine Verstärkung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBTA14G-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Darlington-Transistor von UTC, der für Schalt- und Verstärkeranwendungen mit hoher Verstärkung entwickelt wurde.