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MMBTA56G-AE3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBTA56G-AE3-R product

MMBTA56G-AE3-R

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorVerstärkerSOT-23

Der MMBTA56G-AE3-R ist ein PNP-Silizium-Verstärkertransistor im SOT-23-Gehäuse, ausgelegt für -80V und -500mA.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkeranwendungen
  • Signalumschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 350mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Bauteildichte auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-80 V
IC
-500 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Verstärkung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBTA56G-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor für Verstärkeranwendungen, der in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert wird.