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MMBTSC3356-3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBTSC3356-3G product

MMBTSC3356-3G

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

HF-TransistorNPNRauscharm

Der MMBTSC3356-3G ist ein spezialisierter NPN-HF-Transistor für rauscharme Verstärkeranwendungen in VHF-, UHF- und CATV-Bändern.

Ideal für

  • HF-Signalverstärkung
  • CATV-Geräte
  • VHF/UHF-Empfänger

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Niederfrequenz-Audioschaltungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Auswahl der Verstärkungsgruppe (Q, R oder S)
  • Wärmemanagement bei 200mW Verlustleistung

Wichtige Specs

fT
3 GHz
Rauschmaß
1,1 dB
VCEO
12 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

HF-Verstärkung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBTSC3356-3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor, der für rauscharme Mikrowellenverstärker in VHF-, UHF- und CATV-Frequenzbändern entwickelt wurde.