Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor für rauscharme Mikrowellenverstärker.
MMBTSC3356S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
MMBTSC3356S
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Wichtige Specs
- Transitfrequenz (fT)
- 7 GHz
- Stromverstärkung (hFE)
- 125 - 250
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 12 V
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
HF-Verstärkung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für MMBTSC3356S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.