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MMBZ12VALT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBZ12VALT1G product

MMBZ12VALT1G

Diodes - Zener - Single

TVS-DiodeESD-SchutzSOT-23

Die MMBZ12VALT1G ist eine duale TVS-Diode mit gemeinsamer Anode im SOT-23-Gehäuse, die sich ideal zum Schutz von zwei Signalleitungen gegen ESD und transiente Überspannungen eignet.

Ideal für

  • ESD-Schutz
  • Unterdrückung transienter Überspannungen

Vermeiden, wenn

  • Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen, bei denen eine niedrige Kapazität entscheidend ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Signalspannungspegel
  • Konfiguration mit gemeinsamer Anode

Wichtige Specs

Betriebsspannung
12 V
Spitzenleistung
40 W
ESD-Schutz
30 kV (Kontakt)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541100050.0

Anwendung

Allgemeiner Schutz

Datenblatt

97a036b41e2c05d1e2cf95bf69ae6bc9_2403201230_UMW-Youtai-Semiconductor-Co---Ltd--MMBZ12VALT1G_C2931139.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBZ12VALT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine duale monolithische Silizium-Zenerdiode, die für den Schutz vor transienten Überspannungen und ESD in empfindlichen elektronischen Geräten entwickelt wurde.