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MMBZ27VALT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMBZ27VALT1G product

MMBZ27VALT1G

TVS - Diodes

TVS-DiodeESD-SchutzSOT-23onsemi

Die MMBZ27VALT1G ist eine duale TVS-Diode mit gemeinsamer Anode, die für ESD- und Überspannungsschutz in kompakten SOT-23-Gehäusen entwickelt wurde.

Ideal für

  • ESD-Schutz
  • Unterdrückung transienter Überspannungen
  • Platzsparende PCB-Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Spitzenleistung von mehr als 40W erfordern
  • Hochgeschwindigkeitssignalleitungen, bei denen die Kapazität kritisch sein könnte

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Klemmspannung
  • Thermische Derating-Anforderungen

Wichtige Specs

Arbeits-Spitzensperrspannung
22 V
Durchbruchspannung
27 V
Spitzenleistung
40 W
Klemmspannung
40 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

Allgemeine AnwendungenIndustrie

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMBZ27VALT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine duale monolithische Silizium-Zener-Diode im SOT-23-Gehäuse, die speziell für den Schutz vor transienten Überspannungen entwickelt wurde.