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MMDT2222V-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMDT2222V-7 product

MMDT2222V-7

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNBJTSOT563AEC-Q101

Der MMDT2222V-7 ist ein dualer NPN-Kleinsignaltransistor im ultrakompakten SOT563-Gehäuse, der für mittlere Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltanwendungen
  • Platzkritische Automotive- oder Industriedesigns

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150 mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen
  • Pin-Konfiguration

Wichtige Specs

VCEO
40 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemeines SchaltenSignalverstärkung

Datenblatt

Diodes-Inc.-MMDT2222V-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMDT2222V-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Bipolartransistor (BJT) von Diodes Incorporated, der nach AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert ist.