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MMDT5551-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMDT5551-7-F product

MMDT5551-7-F

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNHochspannungSOT363

Der MMDT5551-7-F ist ein dualer NPN-Hochspannungstransistor im kompakten SOT363-Gehäuse, ideal für mittlere Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von über 320mW erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Kriech- und Luftstrecken auf der Leiterplatte für Hochspannungsbetrieb

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
200 mA
hFE
80 - 250
Gehäuse
SOT363

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AllgemeinLeistung

Datenblatt

Diodes-Inc.-MMDT5551-7-F.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMDT5551-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Hochspannungstransistor für mittlere Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen, der in einem ultrakleinen SOT363-Gehäuse untergebracht ist.