ProjektePreiseInsights

MMDT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMDT5551 product

MMDT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dualer TransistorNPN/PNPSOT-363

Der MMDT5551 ist ein dualer NPN/PNP-Transistor im SOT-363-Gehäuse, der für Anwendungen in der mittleren Leistungsschaltung und Verstärkung konzipiert ist.

Ideal für

  • Mittlere Leistungsverstärkung
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die 0,2 W Verlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Pinbelegung

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
0,2 A
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Schaltanwendungen

Datenblatt

61c2c47e9f1b08084e42600c25ca2207_MSKSEMI(美森科)&MMDT5551.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMDT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MMDT5551 ist ein von LGE hergestellter dualer Transistor (NPN/PNP), der für mittlere Leistungsverstärkungs- und Schaltanwendungen in einem kompakten SOT-363-Gehäuse ausgelegt ist.