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MMSTA13-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMSTA13-7-F product

MMSTA13-7-F

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonSOT-323

Der MMSTA13-7-F ist ein NPN-Darlington-Transistor im kompakten SOT-323-Gehäuse, der für Anwendungen mit geringer Leistung und zum Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Signalverstärkung
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 200mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
30 V
IC
300 mA
hFE
5.000 min

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

Diodes-Inc.-MMSTA13-7-F.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMSTA13-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Darlington-Transistor von Diodes Incorporated, der für hohe Stromverstärkung in Signalverstärkern und Schaltkreisen ausgelegt ist.