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MMUN2216LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MMUN2216LT1G product

MMUN2216LT1G

Pre-Biased

NPNDigitaltransistorBRT

Der MMUN2216LT1G ist ein NPN-Digitaltransistor mit einem integrierten 4.7kΩ-Basiswiderstand, der das Schaltungsdesign durch den Wegfall externer Bias-Komponenten vereinfacht.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen spezifischen Basis-Emitter-Shunt-Widerstand (R2) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Ansteuerstromanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
4.7 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeines SchaltenAutomobil

Datenblatt

DTC143T-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MMUN2216LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Bias-Resistor-Transistor (BRT), der einen NPN-Transistor mit einem 4.7kΩ-Serienbasiswiderstand kombiniert.