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MP13N50 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MP13N50 product

MP13N50

MOSFETs - Single

N-KanalLeistungs-MOSFET500VTO-220

Der MP13N50 ist ein 500V, 13A N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Minos, der für hocheffiziente Schaltanwendungen wie Ladegeräte und Netzteile optimiert ist.

Ideal für

  • Netzteile
  • Akkuladegeräte
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse benötigen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 60W Verlustleistung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
500 V
Dauer-Drainstrom
13 A
Einschaltwiderstand
0,34 Ω
Verlustleistung
60 W

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungNetzteileLadegeräte

Datenblatt

a037d55fb7da1aa751d5f4b3920ead5c_2203291530_Minos-MP13N50_C2980291.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MP13N50 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MP13N50 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET auf Siliziumbasis, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine Durchbruchspannung von 500V sowie einen Dauerstrom von 13A bietet.